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R6020PNJ	文件：349.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6020PNJ	文件：2.84245 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 20A Power MOSFET 文件：2.84245 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6020PNJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 20A Power MOSFET	ROHM 罗姆	ROHM
R6020PNJFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 20A 功率MOSFET R6020PNJFRA是适合开关用途的车载型高可靠性MOSFET。 • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
20
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.19
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.19
Total gate charge Qg[nC]：
65
Power Dissipation (PD)[W]：
304
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
493
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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