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R6015KNX	文件：2.57726 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 15A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015KNZ	文件：2.58186 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015KNZ	文件：309.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RH6015	文件：683.629 Kbytes Page：11 Pages	触摸芯片代理	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市旺财半导体有限公司	ETC
RJK6015DPK	文件：107.34 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6015DPM	文件：86.96 Kbytes Page：7 Pages	600V-21A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.315Ωtyp.(atID=10.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJL6015DPK	文件：173.84 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJQ6015DPM	文件：117.41 Kbytes Page：10 Pages	600V-18A-IGBTandDiodeApplication:Inverter Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=37A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
S6015L	文件：171.73 Kbytes Page：1 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
S6015L	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor

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