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R6015ENX	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V驱动型 Nch MOSFET; • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n; 场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENX	文件：296.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENX	文件：2.46809 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 15A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENZ	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENZ	文件：923.2 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNJ	文件：3.30968 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
15
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.26
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.26
Total gate charge Qg[nC]：
40
Power Dissipation (PD)[W]：
40
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
480
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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