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R6012FNX	文件：1.25303 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. 7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching Power Supply 文件：1.25303 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6012FNX	文件：318.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.51Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：318.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6012FNX	文件：1.58205 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.58205 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
R6012FNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-220FM
包装数量：
500
最小独立包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-220FM
Package Size[mm]：
15.1x10.1 (t=4.6)
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
12.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.39
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.39
Total gate charge Qg[nC]：
35.0
Power Dissipation (PD)[W]：
50.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Trr (Typ.)[ns]：
75
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多R6012FNX供应商更新时间2025-12-1 10:04:00

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