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R6012ANX	文件：307.01 Kbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching Power Supply 文件：307.01 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6012ANX	文件：319.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.42Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：319.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6012ANX	文件：1.031079 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 12A Power MOSFET 文件：1.031079 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6012ANX_12	文件：1.031079 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 12A Power MOSFET 文件：1.031079 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6012ANX	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
500
最小独立包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
12
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.32
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.32
Total gate charge Qg[nC]：
35
Power Dissipation (PD)[W]：
50
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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