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R6010MNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 10A 功率MOSFET R6010MNX是反向恢复时间(trr)短的低导通电阻功率MOSFET。最适合开关用途。 • Fast reverse recovery time (trr).\n• Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.\n• Drive circuits can be simple.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6010MNX	文件：295.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RF-6010	文件：375.76 Kbytes Page：2 Pages	FALCON II TACTICAL NETWORK ACCESS HUB 文件：375.76 Kbytes 页数：2 Pages	HARRIS	HARRIS
RL-6010	文件：1.28963 Mbytes Page：2 Pages	?쏬O-PRO??COMMON MODE TOROIDS HORIZONTAL MOUNT 文件：1.28963 Mbytes 页数：2 Pages	RENCO	RENCO
RT6010	文件：211.78 Kbytes Page：13 Pages	Dual Channel High Efficiency and High Accuracy Average Current Control LED Backlight Buck Controller 文件：211.78 Kbytes 页数：13 Pages	RichTek 立锜科技	RichTek

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-220FM
包装数量：
500
最小独立包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-220FM
Package Size[mm]：
15.1x10.1 (t=4.6)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.28
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.28
Total gate charge Qg[nC]：
20.0
Power Dissipation (PD)[W]：
56.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多R6010MNX供应商更新时间2025-10-11 16:33:00

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