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R6009JND3	文件：2.20364 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6009JND3；Package：TL1；Nch 600V 9A Power MOSFET 文件：2.20364 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6009JND3	文件：300.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.58Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：300.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6009JND3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 9A 功率MOSFET R6009JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. • Fast reverse recovery time (trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS 原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R63309A0ENQV	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS/瑞萨 COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市宝隆宏业科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
9
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
0.45
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.45
Total gate charge Qg[nC]：
22
Power Dissipation (PD)[W]：
125
Drive Voltage[V]：
15
Trr (Typ.)[ns]：
65
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多R6009JND3供应商更新时间2025-10-8 13:01:00

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