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R6008ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:319.32 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

R6008ANX

10V Drive Nch MOSFET

文件:265.05 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

R6008ANX

Nch 600V 8A Power MOSFET

文件:1.00965 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

R6008ANX_12

Nch 600V 8A Power MOSFET

文件:1.00965 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

R6008ANX

10V Drive Nch MOSFET

•4V驱动型 Nch 小信号MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    TO-220FM

  • 包装数量:

    500

  • 最小独立包装数量:

    500

  • 包装形态:

    Bulk

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-220FM

  • Package Size[mm]:

    15.1x10.1 (t=4.6)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    600

  • Drain Current ID[A]:

    8.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.6

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.6

  • Total gate charge Qg[nC]:

    21.0

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    50.0

  • Drive Voltage[V]:

    10.0

  • Mounting Style:

    Leaded type

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHIM
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TO-220F
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更多R6008ANX供应商 更新时间2026-4-21 10:21:00