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R6004KNX	文件：296.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6004KNX	文件：2.423 Mbytes Page：13 Pages	Nch600V4APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJS6004TDPEJ	文件：68.7 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6004TDPP-EJ	文件：169.45 Kbytes Page：4 Pages	600V-10A-DiodeSiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6004WDPK	文件：65.8 Kbytes Page：4 Pages	600V-20A-DiodeSiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6004WDPK	文件：70.61 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RS6004MH	文件：420.72 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE400to1000VoltsCURRENT60Amperes FEATURES Lowleakage Lowforwardvoltage Surgeoverloadrating:500amperespeak Mountingposition:Any Idealforprintedcircuitboards Highforwardsurgecurrentcapability *Superiorthermalconductivity	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RX6004	文件：75.46 Kbytes Page：10 Pages	914.00MHzHybridReceiver	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
SBT-BGA-6004	文件：460.81 Kbytes Page：4 Pages	Lowandstablecontactresistanceforreliableproductionyield	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SDR6004	文件：148.46 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRectifier Features: •UltrafastRecovery:100nsecMaximum •HighSurgeRating •LowReverseLeakageCurrent •LowJunctionCapacitance •HermeticallySealed,IsolatedPackageprovidingenhancedthermalperformance •EutecticDieAttach •TX,TXV,andSLevelScreeningiawMILPRF-19500Available •h	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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