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R6000ENH	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声规格 600V 0.5A, SOP8, 功率MOSFET R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现更优异的性能。 • Low on-resistance\n• Fast switching\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6000ENH	文件：2.32323 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6000ENH；Package：SOP8；Nch 600V 0.5A Power MOSFET 文件：2.32323 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6000F	文件：67.84 Kbytes Page：3 Pages	0.2mA Fast Recovery High Voltage Rectifier 3500 - 6000 Volts Features • AVALANCHE OPERATION • UL 94V0 FLAME RETARDANT EPOXY MOLDING COMPOND • BEVELED ROUND CHIP • LOW COST 文件：67.84 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
R6000F	文件：2.38975 Mbytes Page：3 Pages	0.2A Fast Recovery High Voltage Rectifier 文件：2.38975 Mbytes 页数：3 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
R6000F	文件：630.76 Kbytes Page：5 Pages	olts CURRENT 0.2 Ampere VOLTAGE RANGE 6000 V HIGH VOLTAGE FAST RECOVER RECTIFIER FEATURES * Low cost * Low leakage * Low forward voltage drop * High current capability 文件：630.76 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

技术参数

封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOP8
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
0.5
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
7.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
7.3
Total gate charge Qg[nC]：
4.3
Power Dissipation (PD)[W]：
2
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
5x6 (t=1.75)

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更多R6000ENH供应商更新时间2025-12-24 11:39:00

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