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R5460N5

双节锂电池保护芯片

R5460N5一款基于高耐压CMOS工艺、用于防止锂离子/锂聚合物二次电池过充电、过放电和过电流的电池保护IC。它备有防止外部大短路电流流入的保护电路。\n\n特点\n\n\n\n• 同时实现了低消耗电流和高精度检测过电流,所以即使使用小容量电池也可以长时间驱动。\n\n• 可选择 0V 电池充电\n\n相关产品\n\nR5460x2\n\n

Nisshinbo

日清纺微电子

SMP5460

N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistors

Small Outline (Surface Mount) Package Devices

文件:213.13 Kbytes 页数:10 Pages

INTERFET

SN5460

DUAL 4-INPUT EXPANDERS

文件:154.67 Kbytes 页数:4 Pages

TI

德州仪器

SN5460J

DUAL 4-INPUT EXPANDERS

文件:154.67 Kbytes 页数:4 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • 充电器负输入电压:

    -30 V

  • 元件数:

    2

  • 电源电流:

    Typ. 4.0 µA (0 V battery charging

  • 待机电流:

    Max. 0.1 µA (Latch type)Typ.2.0 µA / Max. 3.5 µA (Auto Release type)

  • 过充电检测电压:

    4.1 V to 4.5 V (0.005 V Steps)

  • 过充电检测电压精度:

    ±20 mV

  • 过充电检测延迟时间:

    1.0 s

  • 过放电检测电压:

    2.0 V to 3.0 V (0.005 V Steps)

  • 过放电检测电压精度:

    ±2.0%

  • 过放电检测延迟时间:

    128 ms

  • 放电过电流检测电压:

    0.05 V to 0.20 V (0.005 V Steps)

  • 放电过电流检测电压精度:

    ±12 mV

  • 放电过电流检测延迟时间:

    12 ms

  • 充电过电流检测电压:

    -0.4 V to -0.1 V (0.005 V Steps)

  • 充电过电流检测电压精度:

    ±22 mV

  • 充电过电流检测延迟时间:

    8 ms

  • 短路检测电压:

    0.3 V to 0.5 V (0.05 V Steps)

  • 短路检测电压精度:

    ±0.1 V

  • 检测延迟时间短:

    300 µs

  • 恢复过充的条件:

    Auto Release

  • 恢复过放电的条件:

    Auto Release / Latch

  • 封装:

    SOT-23-6

  • 0VBatteryCharging:

    Permission / Inhibition

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更多R5460供应商 更新时间2026-1-27 15:53:00