首页 >R4168F>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-Channel30-V(D-S)MOSFET | TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团 | TFUNK | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
UG280:EFR32MG132.4GHz19dBmWirelessStarterKit | SILABS Silicon Laboratories | SILABS | ||
6.8pFPassiveTunableIntegratedCircuits | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
6.8pFPassiveTunableIntegratedCircuits | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
SurfaceMountunidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes SurfacemountunidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes •Peakpulsepowerdissipation400W •Nominalbreakdownvoltage6.8...520V •PlasticcaseMELFDO-213AB •Weightapprox. | DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克 | Diotec | ||
8,192x8-BITNMOSXRAM 8,192x8-BitNMOSXRAM | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
8,192x8-BITNMOSXRAM 8,192x8-BitNMOSXRAM | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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