丝印：R40；WE-MXGI SMT Power Inductor

General Information: Ambient Temperature (referring to IRP) -40 °C up to +85 °C Operating Temperature -40 °C up to +125 °C Storage Conditions (in original packaging)

文件：727.75 Kbytes 页数：8 Pages

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍尔特伍尔特集团

丝印：R4000HVGT；High Voltage Silicon Rectifier Diode

文件：604.96 Kbytes 页数：3 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

丝印：R4000HVGT；High Voltage Silicon Rectifier Diode

文件：563.85 Kbytes 页数：2 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

丝印：R404；Package：PowerPAKSO-8；N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件：511.43 Kbytes 页数：13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

丝印：R4000HVGT；High Voltage Silicon Rectifier Diode

文件：604.96 Kbytes 页数：3 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

丝印：R4000HVGT；High Voltage Silicon Rectifier Diode

文件：563.85 Kbytes 页数：2 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

丝印：MDDR4000；Package：DO-41；HIGH VOLTAGE RECTIFIER

文件：636.76 Kbytes 页数：2 Pages

CHENDA

辰达半导体

丝印：MDDR4000F；Package：DO-41；HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY RECTIFIER

文件：505.9 Kbytes 页数：2 Pages

CHENDA

辰达半导体

丝印：R3500F；Package：DO-15；0.2A Fast Recovery High Voltage Rectifier

文件：2.38975 Mbytes 页数：3 Pages

LUGUANG

鲁光电子

HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 1200 to 5000 Volts CURRENT 0.2 - 0.5 Amperes FEATURES • Low leakage • High surge capability • High current capability • High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds. 0.375 (9.5mm) lead length at 5lbs. (2.3kg) tension.

文件：102.56 Kbytes 页数：2 Pages

YFWDIODE

佑风微电子