丝印：R30；WE-MXGI SMT Power Inductor

General Information: Ambient Temperature (referring to IRP) -40 °C up to +85 °C Operating Temperature -40 °C up to +125 °C Storage Conditions (in original packaging)

文件：727.62 Kbytes 页数：8 Pages

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍尔特伍尔特集团

丝印：R30；Package：SOT-23；NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件：237.5 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：R3060G2；Package：TO-247；STEALTH Rectifier 30 A, 600 V

Description The ISL9R3060G2−F085 is STEALTH diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The STEALTH family exhibits low reverse recovery current (IRRM) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended for us

文件：383.14 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：R3000HVGT；High Voltage Silicon Rectifier Diode

文件：564.27 Kbytes 页数：2 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

丝印：R3000HVGT；High Voltage Silicon Rectifier Diode

文件：606.92 Kbytes 页数：3 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

丝印：R30A；Package：SOT-23；50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

文件：309.24 Kbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

丝印：R30A；Package：SOT-23；CMOS Voltage Reference

文件：1.27433 Mbytes 页数：26 Pages

TI

德州仪器

丝印：R30B；Package：SOT-23；50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

文件：309.24 Kbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

丝印：R30C；Package：SOT-23；50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

文件：309.24 Kbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

丝印：R30F；Package：SOT-23；50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE

文件：309.24 Kbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器