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R1RW0416DSB-2PR

4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)

文件:100.59 Kbytes 页数:16 Pages

RENESAS

瑞萨

R1RW0416DSB-2PR

Memory

Renesas

瑞萨

R1RW0416DSB-2PR#B0

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

R1RW0416DSB-2PR#D1

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • PLP:

    PLP (查看可订购器件)

  • 内存容量 (MB):

    4

  • 组织 (千字):

    256

  • 组织 (位):

    x 16

  • 封装类型:

    TSOPII(44)

  • 访问时间 (ns):

    12

  • 供电电压 (V):

    3.0 to 3.6

  • 工作温度 (°C):

    0 to 70

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas(瑞萨)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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更多R1RW0416DSB-2PR供应商 更新时间2025-10-7 23:00:00