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R1RW0416DGE-2PR#B1

Package:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

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技术参数

  • 内存容量 (MB):

    4

  • 组织 (千字):

    256

  • 组织 (位):

    x 16

  • 封装类型:

    SOJ(44)

  • 访问时间 (ns):

    12

  • 供电电压 (V):

    3.0 to 3.6

  • 工作温度 (°C):

    0 to 70

  • 备注:

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更多R1RW0416DGE供应商 更新时间2025-12-17 17:58:00