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R1RW0408DGE-2PR

4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)

文件:86.73 Kbytes 页数:14 Pages

RENESAS

瑞萨

R1RW0408DGE-2PR

Memory

Renesas

瑞萨

R1RW0408DGE-2PR#B0

Package:36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

R1RW0408DGE-2PR#B1

Package:36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • 内存容量 (MB):

    4

  • 组织 (千字):

    512

  • 组织 (位):

    x 8

  • 封装类型:

    SOJ(36)

  • 访问时间 (ns):

    12

  • 供电电压 (V):

    3.0 to 3.6

  • 工作温度 (°C):

    0 to 70

  • 备注:

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更多R1RW0408DGE-2PR供应商 更新时间2025-10-4 13:00:00