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R1RP0416DGE-2LR	文件：100.17 Kbytes Page：15 Pages	4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit) 文件：100.17 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1RP0416DGE-2LR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory	Renesas 瑞萨	Renesas
R1RP0416DGE-2LR#B0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
R1RP0416DGE-2LR#B1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

内存容量 (MB)：
4
组织 (千字)：
256
组织 (位)：
x 16
封装类型：
SOJ(44)
访问时间 (ns)：
12
供电电压 (V)：
4.5 to 5.5
工作温度 (°C)：
0 to 70
备注：
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更多R1RP0416DGE-2LR供应商更新时间2025-12-10 15:07:00

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