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R1RP0408DGE-2PR	文件：86.62 Kbytes Page：14 Pages	4M High Speed SRAM (512-kword 짰8-bit) 文件：86.62 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1RP0408DGE-2PR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory	Renesas 瑞萨	Renesas
R1RP0408DGE-2PR#B0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
R1RP0408DGE-2PR#B1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

内存容量 (MB)：
4
组织 (千字)：
512
组织 (位)：
x 8
封装类型：
SOJ(36)
访问时间 (ns)：
12
供电电压 (V)：
4.5 to 5.5
工作温度 (°C)：
0 to 70
备注：
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