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R1RP0404DGE-2PR	文件：84.98 Kbytes Page：13 Pages	4M High Speed SRAM (1-Mword 횞 4-bit) Description The R1RP0404D is a 4-Mbit high speed static RAM organized 1-Mword × 4-bit. It has realized high speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and high speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed and 文件：84.98 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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R1RP0404DGE-2LR	文件：84.98 Kbytes Page：13 Pages	4M High Speed SRAM (1-Mword 횞 4-bit) Description The R1RP0404D is a 4-Mbit high speed static RAM organized 1-Mword × 4-bit. It has realized high speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and high speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed and 文件：84.98 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多R1RP0404DGE-2PR供应商更新时间2025-10-5 11:10:00