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R1QLA7218AB	文件：844.4 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst 文件：844.4 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：895.74 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst 文件：895.74 Kbytes 页数：39 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：841.1 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst 文件：841.1 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：892.64 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst 文件：892.64 Kbytes 页数：39 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：883.49 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit QDRII SRAM 4-word Burst 文件：883.49 Kbytes 页数：39 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：893.06 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst 文件：893.06 Kbytes 页数：39 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：881.55 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit QDRII SRAM 4-word Burst 文件：881.55 Kbytes 页数：39 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：827.8 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit QDR SRAM 2-word Burst 文件：827.8 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：881.34 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit QDR II SRAM 4-word Burst 文件：881.34 Kbytes 页数：39 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1QLA7218ABG	文件：892.62 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst Description The R1Q#A7236 is a 2,097,152-word by 36-bit and the R1Q#A7218 is a 4,194,304-word by 18-bit synchronous double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell. It integrates unique synchronous peripheral circuitry and a burst 文件：892.62 Kbytes 页数：39 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Density (Mbits)：
72
Architecture：
DDR-II+ CIO with ODT
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
2
Data Width (bits)：
18
MAX Frequency (MHz)：
400
MIN Frequency (MHz)：
250
Package Body Size：
13x15mm
Operation Temp (degC)：
Ta=-40 to 85
Production Status：
Mass Production

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	R1R0416DSB	RENESAS	24+	TSOPPb	12		询价
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更多R1QLA7218AB供应商更新时间2025-12-1 16:38:00

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