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R1QLA7218AB	文件：827.8 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit QDR SRAM 2-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：881.34 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit QDR II SRAM 4-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：844.4 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：895.74 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：841.1 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：892.64 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：883.49 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit QDRII SRAM 4-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
R1QLA7218AB	文件：893.06 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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R1QLA7218ABG	文件：892.62 Kbytes Page：39 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst Description TheR1Q#A7236isa2,097,152-wordby36-bitandtheR1Q#A7218isa4,194,304-wordby18-bitsynchronous doubledataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryandaburst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

Density (Mbits)：
72
Architecture：
DDR-II+ CIO with ODT
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
2
Data Width (bits)：
18
MAX Frequency (MHz)：
400
MIN Frequency (MHz)：
250
Package Body Size：
13x15mm
Operation Temp (degC)：
Ta=-40 to 85
Production Status：
Mass Production

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒达亿科技有限公司	R1R	AD	25+	SOT23	4500	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳市一线半导体有限公司	R1R0416DSB	RENESAS	24+	TSOPPb	12		询价
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更多R1QLA7218AB供应商更新时间2025-7-27 16:38:00

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