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R1Q4A7236ABB	文件：844.4 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst 文件：844.4 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1Q4A7236ABB_15	文件：844.4 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst 文件：844.4 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1Q4A7236ABB-33I	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory	Renesas 瑞萨	Renesas
R1Q4A7236ABG	文件：840.69 Kbytes Page：36 Pages	72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst Description The R1Q4A7236 is a 2,097,152-word by 36-bit and the R1Q4A7218 is a 4,194,304-word by 18-bit synchronous double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell. It integrates unique synchronous peripheral circuitry and a burst 文件：840.69 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

架构：
DDR-II CIO
突发长度 (字)：
2
读取延迟 (时钟)：
1.5
数据宽度 (位)：
36
最大频率 (MHz)：
300
最小频率 (MHz)：
180
封体尺寸：
13x15mm
工作温度 (degC)：
Ta=-40 to 85
生产状态：
Mass Production(*)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市亿芯隆邦电子有限公司	R1QAA7218RBG-22RA0	RENESAS	25+	N/A	460150	只做原厂原装正品	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	R1QBA7236RBG-22R	RENESAS/瑞萨	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
上海金庆电子技术有限公司	R1QBA7236RBG-22R	RENESAS	20+	BGA	7		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	R1QDA3636CBB-20IB0	RENESAS	1923+	原厂封装	6900	只做进口原装品质决定一切价格优惠	询价
深圳市富芯拓展电子有限公司	R1QDA7218ABB-20IB0P0	RENESAS	15+	BGA	1	原装	询价
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更多R1Q4A7236ABB供应商更新时间2026-2-9 11:10:00

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