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R07DS1344EJ0200	文件：423.39 Kbytes Page：8 Pages	40V – 160A – N-channel Power MOS FET Description TheRBA160N04AHPF-4UA01isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitching applications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.25mMAX.(VGS=10V,ID=80A) •Lowinputcapacitance Ciss=8800pFTYP.(VDS=25V) •Designedfora	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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R07DS1344EJ0200

文件：423.39 Kbytes

Page：8 Pages

40V – 160A – N-channel Power MOS FET

Description TheRBA160N04AHPF-4UA01isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitching applications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.25mMAX.(VGS=10V,ID=80A) •Lowinputcapacitance Ciss=8800pFTYP.(VDS=25V) •Designedfora

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更多R07DS1344EJ0200供应商更新时间2025-5-25 8:14:00

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