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QS8J12	文件：1.19689 Mbytes Page：7 Pages	1.5VDrivePchPchMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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SMB8J12A	文件：549.785 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLAGESUPPRESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SMB8J12A	文件：549.095 Kbytes Page：2 Pages	800W12VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
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SMB8J12C	文件：118.67 Kbytes Page：6 Pages	HighPowerDensitySurfaceMountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SMB8J12CA	文件：117.03 Kbytes Page：6 Pages	HighPowerDensitySurface-MountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpelletchipjunction •Availableinunidirectionalandbidirectional •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SMB8J12CA	文件：118.74 Kbytes Page：6 Pages	HighPowerDensitySurface-MountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpelletchipjunction •Availableinunidirectionalandbidirectional •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
QS8J12TCR
功能描述：
MOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET 12V 4.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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