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4VDriveNchPchMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
4VDriveNchPchMOSFET 4VDriveNch+PchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Structure SiliconN-channelMOSFET/ SiliconP-channelMOSFET Application Switching | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
6600WTransientVoltageSuppressorsFamily | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
6600WTransientVoltageSuppressorsFamily | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS |
详细参数
- 型号：
QS8M13TCR
- 功能描述：
MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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