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QM3202M3

Low Voltage Power MOSFET < 40V

The QM3202M3 is a high performance trench Dual N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications. \n\n The QM3202M3 meets RoHS and Green Product requirements whi • Advaneed high cell density Trench technology\n• Super Low Gate Charge\n• Excellent CdV/dt effect decline\n• Green Device Available;

uPI(UBIQ)

力智电子

QM3202M3

Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs

文件:204.23 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM3802S

UBIQ
SOP8

UBIQ

QM4002AD

VB
TO-252

VB

QM50DY-H

MITSUBISHI
模块

Mitsubishi

三菱电机

上传:深圳市恒达亿科技有限公司

技术参数

  • Package Type:

    PRPAK3*3

  • Configuration:

    Dual

  • MOSFET Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (V):

    ±20

  • Vth max. (V):

    2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V:

    18

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V:

    30

  • Ciss (pF):

    572

  • Coss (pF):

    81

  • Crss (pF):

    65

  • Qgs(nC):

    1.4

  • Qgd(nC):

    2.2

  • ID (A) Tc=25℃:

    28

  • ID (A) Tc=100℃:

    18

  • ID (A) TA=25℃:

    7.4

  • ID (A) TA=70℃:

    6

  • EAS.max(mj):

    72

  • PD(W) Tc=25℃:

    20.8

  • PD (W) TA=25℃:

    1.67

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更多QM3202M3供应商 更新时间2025-10-13 11:24:00