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QM3802S	文件：1.43681 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RF3802	文件：1.21162 Mbytes Page：12 Pages	GaAsHBTPRE-DRIVERAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF3802	文件：62.15 Kbytes Page：2 Pages	GaAsHBTPRE-DRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF3802isspecificallydesignedforwirelessinfrastructureapplications.UsingahighlyreliableGaAsHBTfabricationprocess,thishigh-performancedual-stageamplifierachieveshighoutputpoweroverabroadfrequencyrange.TheRF3802amplifieralsoprovidesexcellent	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF3802	文件：1.11162 Mbytes Page：12 Pages	GaAsHBTPRE-DRIVERAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SMZG3802	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountapplications ♦Glasspassivatedchipjunction ♦LowZenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE
SMZG3802A	文件：99.42 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPowerVoltage-RegulatingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SMZG3802B	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountapplications ♦Glasspassivatedchipjunction ♦LowZenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE
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SMZJ3802	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountapplications ♦Glasspassivatedchipjunction ♦LowZenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE

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