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QM30E2Y

MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE •ICCollectorcurrent..........................30A •VCEXCollector-emittervoltage.........1000V •hFEDCcurrentgain...............................75 •InsulatedType •ULRecognizedYellowCardNo.E80276(N)FileNo.E80271 APPLICATION

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

QM30E2Y-2H

MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE •ICCollectorcurrent..........................30A •VCEXCollector-emittervoltage.........1000V •hFEDCcurrentgain...............................75 •InsulatedType •ULRecognizedYellowCardNo.E80276(N)FileNo.E80271 APPLICATION

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

30E2

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

1.Trenchgatetechnology(G5Hseries) 2.LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.7Vtyp 3.Highspeedswitchingtf=150nstyp 4.LowleakcurrentICES=1μAmax 5.IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH30E2

SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJP30E2

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

1.Trenchgatetechnology(G5Hseries) 2.LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.7Vtyp 3.Highspeedswitchingtf=150nstyp 4.LowleakcurrentICES=1μAmax 5.IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

SRBC-30E2AL

Non-IsolatedDC-DCConverter

bel

Bel Fuse Inc.

SRBC-30E2AL

NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS

bel

Bel Fuse Inc.

SRBC-30E2AL

6Vdc-14VdcInput0.8Vdc-3.63Vdc/25Aor30AOutput

bel

Bel Fuse Inc.

详细参数

  • 型号:

    QM30E2Y

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多QM30E2Y供应商 更新时间2025-5-24 9:03:00