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QM0016D

N-Channel 100V Fast Switching MOSFET

The QM0016D is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications. \n\n The QM0016D meets RoHS and Green Product requirements while supp • Advanced high cell density Trench technology\n• Super Low Gate Charge\n• Excellent CdV/dt effect decline\n• Green Device Available;

uPI(UBIQ)

力智电子

QM0016D

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:862.21 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

QM0016F

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

文件:259.68 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM0016P

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

文件:463.78 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM0016P

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:949.16 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Package Type:

    TO252

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET Type:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS (V):

    ±20

  • Vth max. (V):

    2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V:

    47

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V:

    50

  • Ciss (pF):

    3848

  • Coss (pF):

    137

  • Crss (pF):

    82

  • Qg(nC):

    60

  • Qgs(nC):

    9.7

  • Qgd(nC):

    11.8

  • ID (A) Tc=25℃:

    22

  • ID (A) Tc=100℃:

    13.5

  • ID (A) TA=25℃:

    4.2

  • ID (A) TA=70℃:

    3.4

  • EAS.max(mj):

    43.3

  • PD(W) Tc=25℃:

    52.1

  • PD (W) TA=25℃:

    2

  • ESD Diode:

    NO

  • Schottky Diode:

    NO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
UIBQ
20+
TO252
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QM
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TO252
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更多QM0016D供应商 更新时间2025-11-30 14:13:00