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QM0004D	文件：258.149 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs 文件：258.149 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM0004D	文件：2.45543 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.45543 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
QM0004D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs The QM0004D is the highest performance trenchN-ch MOSFETs with extremehigh cell density ,which provide excellent RDSON and gate chargefor most of thesynchronous buck converterapplications.\n\n The QM0004D meet the RoHS and Green Productrequirement , 100% EAS guaranteedwith fullfunction reli • Advanced high cell density Trench technology.\n• Super Low Gate Charge.\n• Excellent CdV/dt effect decline.\n• Green Device Available.;	uPI(UBIQ) 力智电子	uPI(UBIQ)
RQA0004LXTL-E	文件：163.44 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +29 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68 (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：163.44 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0004PXTL-E	文件：162.8 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Efficiency Pout = +29.7 dBm, PAE = 68 (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：162.8 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
XT0004	文件：207.11 Kbytes Page：2 Pages	ADSL Transformer For Analog Devices 文件：207.11 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package Type：
TO252
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
±20
Vth max. (V)：
2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
112
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
120
Ciss (pF)：
1535
Coss (pF)：
60
Crss (pF)：
37
Qg(nC)：
26.2
Qgs(nC)：
4.6
Qgd(nC)：
5.1
ID (A) Tc=25℃：
12
ID (A) Tc=100℃：
7.7
ID (A) TA=25℃：
3
ID (A) TA=70℃：
2.4
EAS.max(mj)：
7.3
PD(W) Tc=25℃：
34.7
PD (W) TA=25℃：
2
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多QM0004D供应商更新时间2026-4-20 17:12:00

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