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QH12BZ600	文件：235.76 Kbytes Page：9 Pages	600 V, 12 A H-Series PFC Diode GeneralDescription ThisdevicehasthelowestQRRofany600V silicondiode.Itsrecoverycharacteristics increaseefficiency,reduceEMIandeliminate snubbers. Applications •PowerFactorCorrection(PFC)boostdiode •Motordrivecircuits •DC-ACinverters Features •LowQRR,lowIR	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司
QH12BZ600	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB	Power Integrations Power Integrations

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QH12BZ600

文件：235.76 Kbytes

Page：9 Pages

600 V, 12 A H-Series PFC Diode

GeneralDescription ThisdevicehasthelowestQRRofany600V silicondiode.Itsrecoverycharacteristics increaseefficiency,reduceEMIandeliminate snubbers. Applications •PowerFactorCorrection(PFC)boostdiode •Motordrivecircuits •DC-ACinverters Features •LowQRR,lowIR

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

QH12BZ600

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

Power Integrations

产品属性

产品编号：
QH12BZ600
制造商：
Power Integrations
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Qspeed™
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
34pF @ 10V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

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