QH12BZ600中文资料超快速硅二极管VRRM - 600 VIF(AVG) - 3 A - 12 AQRR - 5.9 nC - 8.9 nC数据手册PI规格书
| 厂商型号 |
QH12BZ600 |
| 参数属性 | QH12BZ600 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB |
| 功能描述 | 超快速硅二极管VRRM - 600 VIF(AVG) - 3 A - 12 AQRR - 5.9 nC - 8.9 nC |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | PI Picker Components |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 11:26:00 |
| 人工找货 | QH12BZ600价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
QH12BZ600规格书详情
描述 Description
Qspeed™ diodes have the lowest QRR of any Silicon diode. Their recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers.
特性 Features
Features
·Now available in TO-263 (D2PAK) package
·Low QRR, Low IRRM, Low tRR
·High dIF/dt capable (1000A/µs)
·Soft recovery
Benefits
·Increases efficiency
·Eliminates need for snubber circuits
·Reduces EMI filter component size & count
·Enables extremely fast switching
应用 Application
·Power Factor Correction (PFC) Boost Diode
·Motor drive circuits
·DC-AC Inverters
技术参数
- 制造商编号
：QH12BZ600
- 生产厂家
：PI
- 正向电流 (平均)
：12 A
- 正向电压 (典型)
：2.300 V
- IC封装
：TO-263AB
- 安装类型
：Through Hole
- 产品类型
：Passive
- 运作温度 (最大)
：150 °C
- 运作温度 (最小)
：-55 °C
- 拓扑结构
：Boost PFC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POWER INTEGRATIONS/帕沃英蒂格 |
23+ |
TO-220-23850 |
8000 |
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POWER INTEGRATIONS/帕沃英蒂格 |
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