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QEC112

PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

DESCRIPTION The QEC11X is an 940 nm GaAs LED encapsulated in a clear peach tinted, plastic T-1 package. FEATURES • λ = 940 nm • Chip material = GaAs • Package type: T-1 (3mm) • Matched Photosensor: QSC112 • Narrow Emission Angle, 24° • High Output Power • Package material and color: Clear

文件:134.5 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

QEC112

Plastic Infrared Light Emitting Diode

文件:523.85 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

QEC112

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

文件:149.3 Kbytes 页数:2 Pages

QT

QEC112

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

ONSEMI

安森美半导体

QEC112

Package:径向,3mm 直径(T-1);包装:散装 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL

ONSEMI

安森美半导体

QEC112_05

Plastic Infrared Light Emitting Diode

文件:523.85 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    QEC112

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    50mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    6mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    940nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.5V

  • 视角:

    18°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 100°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向,3mm 直径(T-1)

  • 描述:

    EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL

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更多QEC112供应商 更新时间2025-10-4 10:18:00