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QED123	文件：358.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE FEATURES •λ=880nm •Chipmaterial=AlGaAs •Packagetype:T-13/4(5mmlensdiameter) •MatchedPhotosensor:QSD122/123/124 •NarrowEmissionAngle,18° •HighOutputPower •Packagematerialandcolor:Clear,peachtinted,plastic	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QED123	文件：86.81 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE	QT QT Optoelectronics	QT
QED123	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向，5mm 直径（T 1 3/4）；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
QED123UL	文件：491.77 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE FEATURES •UL217Approved •λ=880nm •Chipmaterial=AlGaAs •Packagetype:T-13/4(5mmlensdiameter) •MatchedPhotosensor:QSB34 •NarrowEmissionAngle,18° •HighOutputPower •Packagematerialandcolor:Clear,peach	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QED123A4R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向，5mm 直径（T 1 3/4）；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
QEE123	文件：148.36 Kbytes Page：2 Pages	AIGAASINFRAREDEMITTINGDIODE	QT QT Optoelectronics	QT
QEE123	文件：332.38 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE DESCRIPTION TheQEE12Xisa880nmAlGaAsLEDencapsulatedinamediumwideangle,plasticsidelookerpackage. FEATURES •λ=880nm •PackageType=Sidelooker •ChipMaterial=AlGaAs •MatchedPhotosensor:QSE113 •MediumWideEmissionAngle,50° •PackageMaterial:ClearEpoxy •HighO	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QSD123	文件：93.34 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICSILICONINFRAREDPHOTOTRANSISTOR DESCRIPTION TheQSD122/123/124isaphototransistorencapsulatedinaninfraredtransparent,blackT-13/4package. FEATURES •NPNSiliconPhototransistor •PackageType:T-13/4 •NotchedEmitter:QED12X/QED22X/QED23X •NarrowReceptionAngle:24°C •DaylightFilter •PackageMaterialand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QSD123	文件：159.77 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONPHOTOTRANSISTOR	QT QT Optoelectronics	QT
QSD123	文件：252.8 Kbytes Page：4 Pages	PlasticSiliconInfraredPhototransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
QED123
制造商：
onsemi
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
50mW/sr @ 100mA
波长：
880nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.7V
视角：
18°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 100°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，5mm 直径（T 1 3/4）
描述：
EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL

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