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QEE113E3R0	文件：125.71 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Infrared Light Emitting Diode Description TheQEE113isa940nmGaAsLEDencapsulatedinamediumwideangle,plasticsidelookerpackage. Features •λ=940nm •PackageType=Sidelooker •ChipMaterial=GaAs •MatchedPhotosensor:QSE113 •MediumWideEmissionAngle,50° •PackageMaterial:ClearEpoxy •HighOutp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
QEE113E3R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：径向，侧视图类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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QEE113E3R0

文件：125.71 Kbytes

Page：5 Pages

Plastic Infrared Light Emitting Diode

Description TheQEE113isa940nmGaAsLEDencapsulatedinamediumwideangle,plasticsidelookerpackage. Features •λ=940nm •PackageType=Sidelooker •ChipMaterial=GaAs •MatchedPhotosensor:QSE113 •MediumWideEmissionAngle,50° •PackageMaterial:ClearEpoxy •HighOutp

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

QEE113E3R0

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包装：散装封装/外壳：径向，侧视图类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
QEE113E3R0
制造商：
onsemi
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
50mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
3mW/sr @ 100mA
波长：
940nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.5V
视角：
50°
方向：
侧视图
工作温度：
-40°C ~ 100°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，侧视图
描述：
EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL

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更多QEE113E3R0供应商更新时间2024-4-27 10:06:00

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