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PZT651T1G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PZT651T1G

参数属性

PZT651T1G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 2A SOT223

功能描述

三极管
TRANS NPN 60V 2A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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PZT651T1G规格书详情

简介

PZT651T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PZT651T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PZT651T1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 集电极电流Ic

    :2A

  • Vce的电压值

    :60V

  • 类型

    :NPN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
SOT-223
100586
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