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PZT3906T中文资料200 mA 40 V PNP Bipolar Juncitin Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

PZT3906T

参数属性

PZT3906T 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

功能描述

200 mA 40 V PNP Bipolar Juncitin Transistor
TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-12-17 14:30:00

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PZT3906T规格书详情

描述 Description

200 mA 40 V PNP Bipolar Juncitin Transistor package in SOT-223

特性 Features

• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
• RoHS Compliant

应用 Application

• General Purpose
• General Purpose

简介

PZT3906T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的PZT3906T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    PZT3906T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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