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PZT651数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PZT651

参数属性

PZT651 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 2A SOT223

功能描述

NPN 双极晶体管
TRANS NPN 60V 2A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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PZT651规格书详情

描述 Description

This NPN Bipolar Transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.

特性 Features

• High Current: 2.0 Amp
• The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow.
• SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermalconduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formedleads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibilityof damage to the die.
• PNP Complement is PZT751T1
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

简介

PZT651属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PZT651晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PZT651

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.3

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.95

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :40

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :75

  • PTM Max (W)

    :0.8

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4D

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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