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SBT3906F	文件：51.65 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSBT3904F	AUK AUK corp	AUK
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SBT3906UF	文件：281.78 Kbytes Page：4 Pages	Generalsmallsignalapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT3906UF	文件：227.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance	AUK AUK corp	AUK
SBT3906UF	文件：281.78 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMBT3906	文件：110.16 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistor PNPSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3906SandSMBT3906U: Two(galvanic)internalisolatedtransistor withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes: SMBT3904...MMBT3904(NPN) •SMB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SMBT3906	文件：888.02 Kbytes Page：13 Pages	HighDCcurrentgain:0.1mAto100mALowcollector-emittersaturationvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SMBT3906S	文件：892.14 Kbytes Page：12 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SMBT3906S	文件：68.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistorArray PNPSiliconSwitchingTransistorArray •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistors withhighmatchinginonepackage •Complementarytype:SMBT3904S(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SMBT3906S	文件：888.02 Kbytes Page：13 Pages	HighDCcurrentgain:0.1mAto100mALowcollector-emittersaturationvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
PZT3906T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

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更多PZT3906T供应商更新时间2025-6-7 14:13:00

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