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TMBT3906	文件：208.04 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−200mA(max) ComplementarytoTMBT3904	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPMMDT3906	文件：7.96046 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
TPPZT3906	文件：2.12946 Mbytes Page：6 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
TPQ3906	文件：320.84 Kbytes Page：5 Pages	SERIESTPQQUADTRANSISTORARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
UC3906	文件：568.38 Kbytes Page：8 Pages	SealedLead-AcidBatteryCharger	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC3906DW	文件：4.14638 Mbytes Page：17 Pages	SealedLead-AcidBatteryCharger	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC3906DW	文件：3.92039 Mbytes Page：17 Pages	SealedLead-AcidBatteryCharger	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC3906DWTR	文件：4.14638 Mbytes Page：17 Pages	SealedLead-AcidBatteryCharger	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC3906DWTR	文件：3.92039 Mbytes Page：17 Pages	SealedLead-AcidBatteryCharger	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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产品属性

产品编号：
PZT3906T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

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更多PZT3906T供应商更新时间2025-6-7 14:13:00

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