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PZU3.0B	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU3.0BA/DG	文件：57.95 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinasmallceramicSMDSOD110package. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±2(BZX284-B)and±5(BZX284-C)tolerancerange.Theseriesconsistsof37typeswithnominalworkingvoltagesfrom2.4to75V. FEATURES •Totalpowerdissipati	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU3.0BASLASHDG	文件：57.95 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinasmallceramicSMDSOD110package. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±2%(BZX284-B)and±5%(BZX284-C)tolerancerange.Theseriesconsistsof37typeswithnominalworkingvoltagesfrom2.4to75V. FEATURES •Totalpower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU3.0BL	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
RD3.0E	文件：75.04 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD3.0E	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0E	文件：346.09 Kbytes Page：5 Pages	500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES •Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. •TheE24seriesisemployedforthe	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RD3.0EAB	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0EB	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0ES	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
PZM3.0NB
功能描述：
稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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