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RD3.0S	文件：54.8 Kbytes Page：12 Pages	ZENERDIODES200mW2PINSSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TypeRD2.0StoRD120SSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mW. FEATURES •SharpBreakdowncharacteristic. •Vz:AppliedE24standard. APPLICATIONS CircuitforConstantVoltage,ConstantCurrent,W	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.0UM	文件：63.51 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RKZ3.0AKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ3.0BKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RLZ3.0	文件：219.34 Kbytes Page：4 Pages	500MWZENERLEADLESSDIODE	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ3.0	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ3.0	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ3.0	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiodeRLZSeries	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ3.0	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiodes	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ3.0	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
PZM3.0NB
功能描述：
稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市振宏微科技有限公司	PZM3.0NB	SMD	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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