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PXFC192207FH	文件：763.83 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 – 1990 MHz Description The PXFC192207FH is a 220-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1990 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and thermally-enhanced package with earless flanges. Manufactured with Wo 文件：763.83 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXFC192207FH	文件：662.81 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 - 1990 MHz 文件：662.81 Kbytes 页数：9 Pages	Cree 科锐	Cree
PXFC192207FH	文件：371.21 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 文件：371.21 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC192207FH-V3-R0	文件：763.83 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 – 1990 MHz Description The PXFC192207FH is a 220-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1990 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and thermally-enhanced package with earless flanges. Manufactured with Wo 文件：763.83 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXFC192207FH-V3-R250	文件：763.83 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 – 1990 MHz Description The PXFC192207FH is a 220-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1990 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and thermally-enhanced package with earless flanges. Manufactured with Wo 文件：763.83 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXFC192207FH_16	文件：1.05822 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.05822 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC192207FHV3R0	文件：1.05822 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.05822 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC192207FHV3R0XTMA1	文件：1.05822 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.05822 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC192207FHV3R250	文件：1.05822 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.05822 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC192207FHV3R250XTMA1	文件：1.05822 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 220 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.05822 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Matching ：
I/O
Frequency Band min max：
1805.0MHz 1990.0MHz
P1dB ：
220.0W
Supply Voltage ：
28.0V
Pout ：
50.0W
Gain ：
20.5dB
Test Signal ：
WCDMA

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