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PXFC191507FC	文件：1.18386 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 – 1990 MHz Description The PXFC191507FC is a 150-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1990 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and thermally-enhanced package with earless flanges. Manufactured with Wo 文件：1.18386 Mbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXFC191507FC	文件：818 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 文件：818 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC191507FC	文件：517.19 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：517.19 Kbytes 页数：8 Pages	Cree 科锐	Cree
PXFC191507FC-V1-R0	文件：1.18386 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 – 1990 MHz Description The PXFC191507FC is a 150-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1990 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and thermally-enhanced package with earless flanges. Manufactured with Wo 文件：1.18386 Mbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXFC191507FC-V1-R250	文件：1.18386 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 – 1990 MHz Description The PXFC191507FC is a 150-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1990 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and thermally-enhanced package with earless flanges. Manufactured with Wo 文件：1.18386 Mbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXFC191507FC_16	文件：1.03951 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.03951 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC191507FCV1R0	文件：1.03951 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.03951 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC191507FCV1R0XTMA1	文件：1.03951 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.03951 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC191507FCV1R250	文件：1.03951 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.03951 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXFC191507FCV1R250XTMA1	文件：1.03951 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 ??1990 MHz 文件：1.03951 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Matching ：
I/O
Frequency Band min max：
1805.0MHz 1990.0MHz
P1dB ：
150.0W
Supply Voltage ：
28.0V
Pout ：
32.0W
Gain ：
20.5dB
Test Signal ：
WCDMA

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