PXAC213308FV资料datasheet下载批发供应-114ic电子网

零件型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
PXAC213308FV	文件：518.73 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2200 MHz	CreeCree, Inc 科锐
PXAC213308FV	文件：1.24712 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2200 MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
PXAC213308FVV1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Cellular (2000 MHz to 2200 MHz) High Power RF LDMOS FET, 320 W, 28 V, 2110 – 2200 MHz; ·Broadband internal input and output matching\n ·Asymmetrical Doherty design - Main : P1dB = 140 W Typ - Peak : P1dB = 190 W Typ\n ·Typical Pulsed CW performance, 2170 MHz, 28 V, combined outputs - Output power at P 3dB = 320 W - Efficiency = 53% @ P 3dB - Gain = 16 dB@ P 3dB\n ·Capable of h;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
PXB4220EV3.2	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 BGA	INFINEON/英飞凌上传：深圳市品优时代科技有限公司	INFINEON/英飞凌
PXB4221E	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 BGA	INFINEON/英飞凌上传：深圳市品优时代科技有限公司	INFINEON/英飞凌

更多PXAC213308FV供应商更新时间2025-8-2 14:17:00