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PXAC210552ND	文件：466.37 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PXAC210552ND-V1-R5	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PG-HB1SOF-4；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET LDMOS DUAL PG-HB1SOF-4	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
PXAC210552FC	文件：600.35 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805??2170MHz	CreeCree, Inc 科锐	Cree
PXAC210552FC	文件：206.69 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805??2170MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PXAC210552FC	文件：702.58 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805–2170MHz Description ThePXAC210552FCisa55-wattLDMOSFETwithanasymmetric designforuseinmulti-standardcellularpoweramplifierapplications inthe1805to2170MHzfrequencyband.Itfeaturesdual-pathdesign, inputandoutputmatching,andathermally-enhancedpackagewith earlessflange.	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
PXAC210552MD	文件：466.61 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805??2170MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

更多PXAC210552ND供应商更新时间2025-7-26 10:19:00