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PXAC200902FCV1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Cellular (2000 MHz to 2200 MHz) High Power RF LDMOS FET, 90 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz ·Broadband internal input and output matching\n ·Asymmetric Doherty design - Main: P 1dB = 35 W Typ - Peak: P 1dB = 55 W Typ\n ·Typical CW performance, 1920 MHz, 26 V - Output power at P 1dB = 50 W - Efficiency = 58% - Gain = 16.6 dB\n ·Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 90 W (CW) ;	Infineon 英飞凌	Infineon
PXB4220EV3.2	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	INFINEON/英飞凌上传：深圳市品优时代科技有限公司	INFINEON/英飞凌
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PXB4325EV1.2	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	INFINEON/英飞凌上传：深圳市鹏兴电子有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

Matching ：
I/O
Frequency Band min max：
1805.0MHz 2170.0MHz
P1dB ：
90.0W
Supply Voltage ：
28.0V
Pout ：
15.0W
Gain ：
17.2dB
Test Signal ：
WCDMA

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