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PXAC182002FC	文件：1.19134 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz 文件：1.19134 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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PXAC182002FCV1R0	文件：1.19134 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz 文件：1.19134 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXAC182002FCV1R0XTMA1	文件：1.19134 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz 文件：1.19134 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXAC182002FCV1R250	文件：1.19134 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz 文件：1.19134 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXAC182002FCV1R250XTMA1	文件：1.19134 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz 文件：1.19134 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

Matching ：
I/O
Frequency Band min max：
1805.0MHz 1880.0MHz
P1dB ：
180.0W
Supply Voltage ：
28.0V
Pout ：
28.2W
Gain ：
16.7dB
Test Signal ：
WCDMA

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