PWD5F60数据手册集成电路（IC）的全半桥驱动器规格书PDF

描述 Description

PWD5F60是一款先进的system-in-package产品，集成了栅驱动器和双半桥四个N通道功率MOSFETs。

集成功率MOSFET具有1.38Ω的RDS(ON) 和600 V漏极 - 源极击穿电压，而集成的自举二极管可以帮助轻松提供上桥臂的栅极驱动。该器件的高集成度可以在狭小的空间内有效地驱动负载。

PWD5F60可接受宽范围（10 V至20 V）的电源电压（VCC）, 并在下部和上部驱动部分都具有UVLO保护功能, 可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。

该输入引脚扩展范围允许与微控制器， DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

PWD5F60内嵌两个独立的比较器，可用于防止过流，过温等保护。

PWD5F60的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型VFQFPN封装。

特性 Features

• 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的封装电力系统
•RDS(ON) = 1.38 Ω
•BVDSS = 600 V
• 适合作为
•全桥接线法
•双独立半桥
• 低侧和高侧UVLO保护
• 3.3V至15V兼容的滞后和下拉输入
• 内置自举二极管
• 独立的比较器
• 可调死区
• 物料削减单
• 非常紧凑和简化的布局
• 灵活、简便、快速的设计

应用 Application

• Industrial fans and pumps\r
• Cooking hoods and gas heaters\r
• Blowers\r
• Industrial drives and factory automation\r
• Power supply units

简介

PWD5F60属于集成电路（IC）的全半桥驱动器。由制造生产的PWD5F60全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列，包含两个或多个功率晶体管，以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接（称为半桥），因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件（如微控制器）提供的低电平信号转换为操作执行器（如步进电机或无刷电机）所需的较大功率信号。