PWD13F60数据手册集成电路（IC）的全半桥驱动器规格书PDF

描述 Description

PWD13F60是一款高密度功率驱动器，集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET，采用双半桥配置。

集成功率MOSFET的RDS(on) 为 320 mΩ 漏源击穿电压为600 V，而集成自举二极管可方便地提供高侧的嵌入式栅极驱动器。该设备的高度集成使其能够在极小的空间内有效地驱动负载。

PWD13F60器件接受在很宽范围内扩展的电源电压(VCC) 并通过电源电压上的低压UVLO检测进行保护。

输入引脚扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。

该设备可在紧凑的VFQFPN封装中使用。

特性 Features

• 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装
•Low RDS(on) = 320 mΩ
•BVDSS = 600 V
• 适合作为
•全桥
•双独立半桥
•  驱动器电源电压低至6.5 V.
•  电源电压的UV保护
• 3.3V至15 V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
•互锁功能，防止交叉传导
•  内置自举二极管
• 输出与输入同相位
•  非常紧凑和简化的布局
•  灵活，简单，快速的设计

简介

PWD13F60属于集成电路（IC）的全半桥驱动器。由制造生产的PWD13F60全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列，包含两个或多个功率晶体管，以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接（称为半桥），因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件（如微控制器）提供的低电平信号转换为操作执行器（如步进电机或无刷电机）所需的较大功率信号。